子产品的迅速发展，常规的硅半导体、砷化镓等器件越来越无法满足高温、热导率、抗辐射性等需求。以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽带隙半导体材料由于具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特性，使其在光电器件、高频大功率器件等方面倍受青睐，被誉为前景广阔的第三代半导体材料。尤其碳化硅器件可以再200摄氏度的高温环境下工作。与IGBT、硅器件相比，碳化硅器件具有更高的电流密度、更低的功率损耗，碳化硅器件能够提高电源转化效率。未来有望在功率器件领域实现对硅的迅速替代，碳化硅半导体时代已然来临。

　　碳化硅未被行业广泛应用的原因主要在于单晶制备难度大、成本高。单晶生长技术和薄膜生长技术的不断突破和发展，目前美国科锐(Cree)已经能够制备出6.0英寸的晶片，预计2016年将上升致8.0英寸。国内目前最先进的工艺能够达到4.0英寸。碳化硅器件新增应用领域将主要集中在LED、新能源汽车、轨道交通、智能电网等行业。研究机构IHSIMSResearch预测，SiC和GaN半导体市场未来10年平均增速将达到18%；YoleDeveloppement对SiC器件市场更为乐观，预测将保持38%的年增长率。随着国际电子产业继续向国内转移，我国半导体技术工艺逐步提升，行业面临较大的成长空间。但是我国分立器件集中度偏低、企业规模普遍较小，未来随着资本市场的不断成熟，行业内横向并购将会迎来一个高潮。

　　4、盈利预测及评级。公司收入平均年增长率保持在30%以上，主要受益于功率二极管和分立器件芯片。考虑到公司在碳化硅领域的强势布局，碳化硅业务将成公司新业绩增长点。预计公司2015-2017年净利润增速分别为39%、40%和39%，EPS分别为0.93、1.31和1.82元，上一交易日收盘股价对应PE分别为71、50和36倍；考虑到公司碳化硅领域超预期的可能较大，给予公司“增持”评级。

　　5、风险提示：1)碳化硅器件遭遇技术难题；2)下游应用领域认证周期变长；3)系统性风险。

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