打印本文 
关闭窗口 逐渐恢复，海康持续用四个季度强劲业绩证明传统业务空间仍然可观，且管理层对未来三年复合40%的营收增长充满信心，前端及解决方案和出口将继续提供强劲动能；而在互联网业务部分，公司亦开始转换思路，在互联网民用亦逐渐打破藩篱，开始与京东、乐视、微信、阿里等平台合作，包括交互监控、运动摄像等新品持续推出，我们继续看好海康超预期业绩与市场信心恢复带来上行动能和估值修复空间。
此外，大华正逐渐迎来拐点，14年对于大华来说是业务和人员结构大幅调整的一年，利润下滑且费用发生较多，但从7月人员结构落定后已逐渐好转，其相对海康的利润增长空间可观，伴随其向解决方案的战略转型逐渐看到成效，拐点可期，15年望重拾动能。此外，转型布局移动互联云对讲、云停车等物联网业务的的安居宝，其商业模式市值弹性大，值得继续关注。
重点公司逻辑：1)立讯精密：参与苹果增量创新最多的主力供应商，15年最值得期待新品手表的无线模组、表带以及潜在新配件都有深度参与，且在type-c下一代连接、智能音频线束都是领导者，并在智能家居和智能汽车领域前瞻布局，行业空间大、近三年确定60~80%复合增速，我们认为立讯理应是电子优质成长行情的，本周开始的这一两月内，我们将陆续看到立讯的催化剂，包括国产品牌在TYPE-C接口的突破并引爆想象空间、苹果手表上市与无线充电的放量、潜在新配件进入视野，坚定看到45元目标价，长线千亿市值空间；2)长盈精密：我们上周发布了长盈的深度报告并召开电话会议，看好公司受益国产机金属机壳渗透加速，迎来客户结构优化和盈利能力大幅提升。上周小米NOTE的发布会验证了我们的判断，其采用了高精度的超薄金属中框，带弧形玻璃后盖，是小米今年的大改版旗舰机，长盈作为主力供应商将迎来望超10亿的订单，后续还将迎来华为旗舰机型。在公司的两大四优的战略客户助力下，长盈今年外观件产能供不应求，将迎来业绩的大幅提速，我们本周继续强推，看27元目标价！3)海康威视：稳健成长的安防龙头，移动互联民品布局逐步打开局面，且港股IPO大大缓解减持压力，近三年复合40%增长可期，估值仍处低位；4)大华股份：回调充分，底部确立，解决方案的追赶望带来年内业绩增速拐点；5)歌尔声学：关注智能音频以及传感器、天线等非声学业务进展；6)大族激光：市场预期充分下降，但大功率及机器人布局仍可期以及核心光源突破，15年估值弹性不错；7)兴森科技：受益IC载板减亏、宜兴扭亏和军品业务放量，明年业绩增长提速，在载板、大硅片以及军品的布局有不错估值弹性，管理层增发完成已无障碍；8)安居宝：云对讲业务在积极推进，用户数的弹性值得关注。
存储器产业：中国企业有机会在3D NAND Flash领域实现弯道超车
电子行业
研究机构：海通证券分析师：陈平，董瑞斌 撰写日期：2015-01-20
存储器和微控制器是半导体产业基石。从产值角度看，存储器和微处理器是半导体产业的两大件，分别占半导体产品产值的22%和19%，发展半导体产业，存储器和微处理器是绕不开的课题。本篇报告通过50+页的篇幅，详细论证了存储器(Memory)行业的发展历史、周期波动性等特点，以及DRAM、Nand Flash、NorFlash 等子行业的应用领域、竞争格局、市场规模、未来发展趋势等，最后认为中国企业可以借助Nand Flash 由平面向3D 技术转换过程中实现弯道超车。
存储器市场波动性较大。作为电子产业的大宗商品，存储器市场周期波动性众所周知，其波动性主要是由根植于存储器本身的特性决定的：1)存储器产品需求量大，是半导体产业中的关键部件，市场需求可以被迅速推动，这使得大公司总有扩大产能冲动；2)存储器产品标准化程度高，更新换代快，用户粘性弱，容易被取代。
存储器产业未来周期特性难改：宏观经济的波动性影响对存储器的需求，历史上存储器价格波动基本都跟宏观经济波动正相关，只要宏观经济周期不改，存储器产业周期特性难改；另一方面，从供应角度看，通过研究存储器产业以及相关企业的发展历史，也可以发现存储器行业的长期波动性并没有改变，究其原因，在于各大存储器厂商均有扩张产能基因，我们整理发现，三星、SK 海力士、美光等企业大肆扩张的脚步并未停止。
平面微缩难度加大致技术提升成本太高，3D 转换机会来临。无论对于DRAM 还是Flash，随着平面工艺尺寸缩减难度越来越大，在16nm 左右，采用平面缩减工艺难度和成本已经超过3D TSV 技术。当前技术正处在该转换节点上。如三星已经量产3D TSV DRAM，美光也提出Hybrid Memory Cube DRAM 以及vertical-Nand，其实质也是采用3D TSV 堆叠技术。
中国可借助3D Nand Flash 技术转换机会实现弯道超车。从产值角度看，存储器占半导体产品产值的22%，在半导体产品中算“大件”。发展存储器产业，对国家整个半导体产业的进步拉动效应明显。2D Nand Flash 的进步主要是通过微缩技术实现的，而3D Nand Flash 的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺，技术工艺差别较大，而且美光、SK 海力士等巨头在3D Nand Flash 布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作，快速切入该领域，在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。
关注存储器产业链上下游投资机会。目前存储器企业多采用IDM 模式，从存储器芯片的设计、制造到封装都由本身完成。美光外协订单较多，台湾华亚科、南茂、力成等为其晶圆制造和封测的合作伙伴。国内存储器产业链相关的企业有兆易创新(IPO 排队，Nor Flash 芯片设计)、武汉新芯(未上市，目前涉及Nor Flash 晶圆制造)、中芯国际(0981.HK，存储器芯片晶圆制造)等，另外未来如果存储器产业在中国大力发展起来，国内的相关设备、材料、封测、模组、控制器芯片等配套都可能有投资机会，我们保持密切关注。
风险提示：行业景气度剧烈波动、技术更新换代等
输变电设备行业：直流特高压，一带一路，大超预期
电力设备行业
研究机构：安信证券分析师：黄守宏 撰写日期：2015-01-19
2015年1月16日，国家电网公司召开年会，会议公布了国家电网2014年业绩及2015年的工作计划。
投资计划增长9%：国网2013年电网投资3379亿元，2014年电网投资3855亿元，增长14.1%，略超2014年年初电网投资3815亿元的计划，2015年计划投资4202亿元，相比2014年的投资增长9%，投资继续保持增长为电力设备公司业绩增长奠定基础。
直流特高压大超预期：国网2015年计划上半年进行特高压“四交五直”工程，下半年完成“五交八直”工程。在已开工“两交一直”基础上，一季度核准开工“两交一直”工程，二季度核准开工“三直”工程。下半年核准开工“三交三直”工程；年底前完成“两交五直”工程可研，2016年全面核准开工。加快西南电网与华中电网直流背靠背互联工程等前期工作。2014年国家能源局安排了治理雾霾十二条通道，其中国网范围内剩下2条特高压交流和4条直流预期在2015年核准开工。国网公司2015年特高压计划包含特高压交流9条，特高压直流工程共17条线路和1个背靠背工程，远超预期。
一带一路，全球能源互联迈开第一步：2015年国网年会上，还提出了推进电网互联互通，开展周边国家到中国的4条特高压直流工程前期工作，推动构建全球能源互联网。2014年国网获得巴西美丽山直流工程，如果这次建设周边国家与中国电网互联的特高压直流通道得到实现，将进一步推动中国特高压技术和装备的出口，同时也为减轻我国的能源与环保压力做出巨大贡献。
打印本文 关闭窗口